Appel d'offres européen Dry Etcher
L'Universiteit Twente a lancé un appel d'offres public fermé (No. 337390) pour un nouveau Dry Etcher. Le projet porte sur un système de gravure de puces (chip-etch) avancé avec des processus précis et uniformes pour le silicium sur des wafers de 100–150 mm. La date limite est le 15 juillet 2024 et la valeur de l'appel d'offres n'est pas précisément estimée. Le code CPV est inconnu, il s'agit d'une procédure numérique européenne et il n'y a pas de référence liée.**Points clés** de l'objectif : Nouveau Dry Etcher pour des structures à l'échelle nano-/micro- avec une précision de 2 nm. Spécifications : * Vitesses de gravure 1 nm/min – 15 µm/min. * Plasma uniforme, conception ICP/CCP à trois sources. * OES, interférométrie laser, chiller (-20 °C → 20 °C). * Gaz chimiques : Ar, O2, N2, SF6, C4F8. Valeur : Inconnue. Lieu : Pays-Bas. Procédure : Publique, livraisons, numérique. Date limite : 15 juillet 2024 12:00 UTC.
Fournitures · Procédure ouverte · Procédure européenne
01Ce qui est demandé
L'Universiteit Twente a lancé un appel d'offres public fermé (No. 337390) pour un nouveau Dry Etcher. Le projet porte sur un système de gravure de puces (chip-etch) avancé avec des processus précis et uniformes pour le silicium sur des wafers de 100–150 mm. La date limite est le 15 juillet 2024 et la valeur de l'appel d'offres n'est pas précisément estimée. Le code CPV est inconnu, il s'agit d'une procédure numérique européenne et il n'y a pas de référence liée.<|image>**Points clés** de l'objectif : Nouveau Dry Etcher pour des structures à l'échelle nano-/micro- avec une précision de 2 nm. Spécifications : * Vitesses de gravure 1 nm/min – 15 µm/min. * Plasma uniforme, conception ICP/CCP à trois sources. * OES, interférométrie laser, chiller (-20 °C → 20 °C). * Gaz chimiques : Ar, O2, N2, SF6, C4F8. Valeur : Inconnue. Lieu : Pays-Bas. Procédure : Publique, livraisons, numérique. Date limite : 15 juillet 2024 12:00 UTC.
The MESA+ Institute will invest in a new Dry Etch tool system to reinforce their state-of-the-art etch capabilities and etch capacity.<|image>Applications: The tool must be capable of etching silicon and/or silicon-based materials for a variety of nano- and/or microscale structures with nanometre precision and high wafer-scale uniformity. The tool must be suitable for the etching of silicon-based materials with etch rates of 1 nm/min up to 15 µm/min. The tool must be equipped with reliable end-pointing, also for loadings of < 5% open area (based on 100 mm wafer), using OES or laser interferome
02Motifs d'exclusion
- Aucun motif d'exclusion spécifique n'a été extrait. Dans un appel d'offres européen, les motifs obligatoires et facultatifs des art. 2.86/2.87 de la loi néerlandaise sur les marchés publics s'appliquent presque toujours — consultez le Document unique de marché européen (DUME).
03Valeur en contexte
04Soumissionnaires de ce segment
05Thèmes juridiques susceptibles d'être pertinents ici
06Questions fréquentes
Quelles sont les exigences techniques pour la vitesse de gravure et la précision du Dry Etcher ?
À quelles spécifications la conception du plasma de l'outil doit-elle répondre ?
Quels gaz et équipements périphériques sont requis pour le fonctionnement du Dry Etcher ?
Pour quels formats de wafers l'uniformité de l'outil est-elle garantie ?
Compilé automatiquement à partir des données et documents officiels de l'appel d'offres.
07Valeur estimée par rapport au marché
€ 300K
€ 515K
€ 1,7 mln
Gegunde waarden in CPV 38 · leveringen n=331