European Tender Dry Etcher
Universiteit Twente heeft een gesloten publieke tender (No. 337390) uitgelaten voor een nieuwe Dry Etcher. Het project richt zich op een geavanceerd chip-etch systeem met nauwkeurige, uniforme processen voor siliconen op 100–150 mm wafers. De deadline is 15 juli 2024 en de aanbesteding is niet precies gewaardeerd. De CPV‑code is onbekend, het is een Europese digitale procedure en er is geen gekoppelde referentie. **Kernpunten** - **Doel**: Nieuwe Dry Etcher voor nano‑/micro‑scale structuren met 2 nm precisie. - **Specificaties**: * Etchriftalen 1 nm/min – 15 µm/min. * Uniform plasma, drie‑bron ICP/CCP ontwerp. * OES, laserinterferometrie, chiller (-20 °C → 20 °C). * Chemische gassen: Ar, O2, N2, SF6, C4F8. - **Waardering**: Onbekend. - **Locatie**: Nederland. - **Procedure**: Openbaar, leveringen, digitaal. - **Deadline**: 15 juli 2024 12:00 UTC.
Leveringen · Openbaar · Europese procedure
01Wat wordt gevraagd
Universiteit Twente heeft een gesloten publieke tender (No. 337390) uitgelaten voor een nieuwe Dry Etcher. Het project richt zich op een geavanceerd chip-etch systeem met nauwkeurige, uniforme processen voor siliconen op 100–150 mm wafers. De deadline is 15 juli 2024 en de aanbesteding is niet precies gewaardeerd. De CPV‑code is onbekend, het is een Europese digitale procedure en er is geen gekoppelde referentie. **Kernpunten** - **Doel**: Nieuwe Dry Etcher voor nano‑/micro‑scale structuren met 2 nm precisie. - **Specificaties**: * Etchriftalen 1 nm/min – 15 µm/min. * Uniform plasma, drie‑bron ICP/CCP ontwerp. * OES, laserinterferometrie, chiller (-20 °C → 20 °C). * Chemische gassen: Ar, O2, N2, SF6, C4F8. - **Waardering**: Onbekend. - **Locatie**: Nederland. - **Procedure**: Openbaar, leveringen, digitaal. - **Deadline**: 15 juli 2024 12:00 UTC.
The MESA+ Institute will invest in a new Dry Etch tool system to reinforce their state-of-the-art etch capabilities and etch capacity. Applications: The tool must be capable of etching silicon and/or silicon-based materials for a variety of nano- and/or microscale structures with nanometre precision and high wafer-scale uniformity. The tool must be suitable for the etching of silicon-based materials with etch rates of 1 nm/min up to 15 µm/min. The tool must be equipped with reliable end-pointing, also for loadings of < 5% open area (based on 100 mm wafer), using OES or laser interferometry.
02Uitsluitingsgronden
- Geen specifieke uitsluitingsgronden geëxtraheerd. Bij een Europese aanbesteding gelden vrijwel altijd de verplichte en facultatieve gronden uit art. 2.86/2.87 Aw — controleer het Uniform Europees Aanbestedingsdocument.
03Waarde in context
04Inschrijvers in dit segment
05Juridische thema's die hier kunnen spelen
06Veelgestelde vragen
Wat is de status van deze aanbesteding?
Om wat voor type opdracht gaat het?
Welke aanbestedingsprocedure wordt gevolgd?
Wat is de geschatte waarde van deze opdracht?
Welke CPV-code valt onder deze aanbesteding?
Is dit een Europese aanbesteding?
Bestaat deze opdracht uit meerdere percelen?
Waar vind ik de officiële aanbestedingsstukken?
Wat zijn de technische vereisten voor de etchsnelheid en precisie van de Dry Etcher?
Aan welke specificaties moet het plasma-ontwerp van de tool voldoen?
Welke gassen en randapparatuur zijn vereist voor de werking van de Dry Etcher?
Voor welke waferformaten is de uniformiteit van de tool gegarandeerd?
Automatisch samengesteld op basis van de officiële aanbestedingsgegevens en documenten.
07Geraamde waarde t.o.v. de markt
€ 300K
€ 515K
€ 1,7 mln
Gegunde waarden in CPV 38 · leveringen n=331